IDT 先進存儲緩沖器（AMB）器件完全符合 JEDEC AMB 規范，是新一代高帶寬應用，如要求更完善的性能和更大存儲容量的服務器、工作站和通信設備等應用的重要的構建模塊。FB-DIMM 通道架構的主要特點是通道上的存儲控制器和模塊之間的高速、串行、點對點的連接。每個FB-DIMM 上的 AMB 芯片收集和分發進出 DIMM的數據，在芯片內部緩沖數據，并接收或轉發到下一個 DIMM 或 存儲控制器。這個獨特的通道結構有助于系統設計者在不影響速度的情況下，采用一個系統中使用大量 DIMM。
IDT AMB 還提供
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♦超低功耗 AMB 解決方案
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♦在主要平臺擁有多年驗證的系統內可靠性
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♦采用最新 AMB+ 器件集成散熱器蓋
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♦用于最佳性能交付的內置溫度傳感器
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♦四列和 DDR2 533/667/800 操作
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♦獨特的 DDR2 架構，能驅動多達 32 FB-DIMM 的存儲器插槽
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♦片上內部數據緩沖，并將其接收或轉發到下一個 DIMM 或存儲控制器
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