數據列表 :XP162A12A6PR(G)
標準包裝 :1,000
類別 :分離式半導體產品
家庭 :FET - 單
系列 :-
FET 型 :MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點 :邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss) :20V
電流 - 連續漏極(Id) @ :25° C 2.5A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :170 毫歐 @ 1.5A, 4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大） :-
閘電荷(Qg) @ Vgs :-
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :310pF @ 10V
功率 - 最大 :2W
安裝類型 :表面貼裝
封裝/外殼 :TO-243AA
供應商設備封裝 :SOT-89
包裝 :帶卷 (TR)
PDF技術功能：
XP161A12A6PR.PDF
＊ 低導通狀態抵抗:0.055Ω馬克斯
＊ 門內置保護二極管
＊ 超高速開關
＊ SOT - 89包
＊ 個人筆記本電腦
＊ 細胞和便攜式電話
＊ 車載電源
＊ 鋰電池系統
這是一個N-Channel XP161A1265PR低功率MOS FET辦不到導通狀態阻力和超高速開關特性。
因為高速開關是可能的,但集成電路可以有效地設置從而節能的效果。
為了對抗靜,保護二極管是一門內置式。
SOT - 89包使高密度安裝成為可能。
低導通狀態抵抗:關系型數據庫(在)= 0.055Ω(Vgs = 4.5 V)
:關系型數據庫(在)= 0.095Ω(Vgs = 2.5 V)
超高速開關
操作電壓:2.5 V
高密度安裝:SOT - 89
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