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IC封裝技術大全


來源: | 時間:2024年05月25日

1、BGA(ballgridarray)
球形觸點陳列,表面貼裝型封裝之一。
在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形
凸點用以代替引腳,在印刷基板的正面裝
配LSI芯片,然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。
也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200,
是多引腳LSI用的一種封裝。 封裝本體也可做得比QFP
(四側引腳扁平封裝)小。例如,引腳中心距為1.5mm的
360引腳BGA僅為31mm見方;而引腳中心距為0.5mm的304
引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔心QFP那樣的引腳
變形問題。 該封裝是美國Motorola公司開發的,
首先在便攜式電話等設備中被采用,今后在美國有可能
在個人計算機中普及。最初,BGA的引腳(凸點)中心距為1.5mm,
引腳數為225。現在也有一些LSI廠家正在開發500引腳的BGA。
BGA的問題是回流焊后的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的
外觀檢查方法。有的認為,由于焊接的中心距較大,
連接可以看作是穩定的,只能通過功能檢查來處理。
美國Motorola公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC,
而把灌封方法密封的封裝稱為 GPAC(見OMPAC和GPAC)。

2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)
帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP封裝之一,
在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊)以防止
在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體
廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用 此封裝。
引腳中心距0.635mm,引腳數從84到196左右(見QFP)。

3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)
表面貼裝型PGA的別稱(見表面貼裝型PGA)。
 
4、C-(ceramic)
表示陶瓷封裝的記號。例如,
CDIP表示的是陶瓷DIP。
是在實際中經常使用的記號。

5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝,
用于ECLRAM,DSP(數字信號處理器)等電路。
帶有玻璃窗口的Cerdip用于紫外線擦除型
EPROM以及內部帶有EPROM的微機電路等。
引腳中心距2.54mm,引腳數從8到42。在日本,
此封裝表示為DIP-G(G即玻璃密封的意思)。
 
6、Cerquad
表面貼裝型封裝之一,即用下密封的陶瓷QFP,
用于封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的
Cerquad用于封裝EPROM電路。散熱性比塑料QFP好,
在自然空冷條件下可容許1.5~2W的功率。但封裝
成本比塑料QFP高3~5倍。引腳中心距有1.27mm、
0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多種規格。
引腳數從32到368

7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)
帶引腳的陶瓷芯片載體,表面貼裝型封裝之一,
引腳從封裝的四個側面引出,呈丁字形。
帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM以及
帶有EPROM的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ-G(見QFJ)。

8、COB(chiponboard)
板上芯片封裝,是裸芯片貼裝技術之一,
半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上,
芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現,
芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現,
并用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是最簡單
的裸芯片貼裝技術,但它的封裝密度遠不如TAB和倒片焊技術。
 
9、DFP(dualflatpackage)
雙側引腳扁平封裝。是SOP的別稱(見SOP)。
以前曾有此稱法,現在已基本上不用。

10、DIC(dualin-lineceramicpackage)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).
 
11、DIL(dualin-line)
DIP的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。

12、DIP(dualin-linepackage)
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,
引腳從封裝兩側引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。
DIP是最普及的插裝型封裝,應用范圍包括標準邏輯IC,
存貯器LSI,微機電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數
從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm
和10.16mm的封裝分別稱為skinnyDIP和slimDIP(窄體型DIP)。
但多數情況下并不加區分,只簡單地統稱為DIP。另外,
用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip(見cerdip)。
 
13、DSO(dualsmallout-lint)
雙側引腳小外形封裝。SOP的別稱(見SOP)。
部分半導體廠家采用此名稱。

14、DICP(dualtapecarrierpackage)
雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。
引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側引出。由于利
用的是TAB(自動帶載焊接)技術,封裝外形非常薄。
常用于液晶顯示驅動LSI,但多數為定制品。另外,
0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處于開發階段。
在日本,按照EIAJ(日本電子機械工業)會標準規定,
將DICP命名為DTP。

15、DIP(dualtapecarrierpackage)
同上。日本電子機械工業會標準對DTCP的命名(見DTCP)。

16、FP(flatpackage)
扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP
(見QFP和SOP)的別稱。部分半導體廠家采用此名稱。
 
17、flip-chip
倒焊芯片。裸芯片封裝技術之一,在LSI芯片的電極
區制作好金屬凸點,然后把金屬凸點與印刷基板上的
電極區進行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片
尺寸相同。是所有封裝技術中體積最小、最薄的一種。
但如果基板的熱膨脹系數與LSI芯片不同,就會在接合
處產生反應,從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂
來加固LSI芯片,并使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。

18、FQFP(finepitchquadflatpackage)
小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于
0.65mm的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采用此名稱。
 
19、CPAC(globetoppadarraycarrier)
美國Motorola公司對BGA的別稱(見BGA)。

20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)
帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP之一,
引腳用樹脂保護環掩蔽,以防止彎曲變形。
在把LSI組裝在印刷基板上之前,從保護環處
切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L形狀)。這種
封裝在美國Motorola公司已批量生產。引腳
中心距0.5mm,引腳數最多為208左右。

21、H-(withheatsink)
表示帶散熱器的標記。例如,HSOP表示帶散熱器的SOP。

22、pingridarray(surfacemounttype)
表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝,
引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面
有陳列狀的引腳,其長度從1.5mm到2.0mm。
貼裝采用與印刷基板碰焊的方法,因而也
稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm,
比插裝型PGA小一半,所以封裝本體可制作得
不怎么大,而引腳數比插裝型多(250~528),
是大規模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有多層
陶瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷
基材制作封裝已經實用化。

23、JLCC(J-leadedchipcarrier)
J形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的
陶瓷QFJ的別稱(見CLCC和QFJ)。部分半導體廠家采用的名稱。

24、LCC(Leadlesschipcarrier)
無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有
電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速
和高頻IC用封裝,也稱為陶瓷QFN或QFN-C(見QFN)。

25、LGA(landgridarray)
觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態坦電
極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現已實用
的有227觸點(1.27mm中心距)和447觸點(2.54mm
中心距)的陶瓷LGA,應用于高速邏輯 LSI電路。
LGA與QFP相比,能夠以比較小的封裝容納更多的
輸入輸出引腳。另外,由于引線的阻抗小,對于
高速LSI是很適用的。但由于插座制作復雜,
成本高,現在基本上不怎么使用。預計今后對
其需求會有所增加。
 
26、LOC(leadonchip)
芯片上引線封裝。LSI封裝技術之一,
引線框架的前端處于芯片上方的一種結構,
芯片的中心附近制作有凸焊點,用引線縫合
進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯
片側面附近的結構相比,在相同大小的封裝
中容納的芯片達1mm左右寬度。

27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)
薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP,
是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。
 
28、L-QUAD
陶瓷QFP之一。封裝基板用氮化鋁,基導熱率比
氧化鋁高7~8倍,具有較好的散熱性。封裝
的框架用氧化鋁,芯片用灌封法密封,從而
抑制了成本。是為邏輯LSI開發的一種封裝,
在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開
發出了208引腳(0.5mm中心距)和160引腳(0.65
mm中心距)的LSI邏輯用封裝,并于1993年10月
開始投入批量生產。

29、MCM(multi-chipmodule)
多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊
布線基板上的一種封裝。根據基板材料可分為
MCM-L,MCM-C和MCM-D三大類。
MCM-L是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。
布線密度不怎么高,成本較低。
MCM-C是用厚膜技術形成多層布線,以陶瓷
(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使
用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別.
布線密度高于MCM-L。 MCM-D是用薄膜技術形成
多層布線,以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al作為基板的組件。
布線密謀在三種組件中是最高的,但成本也高


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