數據列表 :XP151A11B0MR(G)
標準包裝 :3,000
類別 :分離式半導體產品
家庭 :FET - 單
系列 :-
FET 型 :MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點 :邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss) :30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C :1A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :120 毫歐 @ 500mA, 10V
Id 時的 Vgs(th)（最大） :-
閘電荷(Qg) @ Vgs :-
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :150pF @ 10V
功率 - 最大 :500mW
安裝類型 :表面貼裝
封裝/外殼 :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備封裝 :SOT-23
包裝 :帶卷 (TR)
PDF技術功能：
XP152A11E5MR.PDF
這是一個P-channel XP152A11E5MR功率MOSFET低導通狀態阻力和超高速開關特性。
因為高速開關是可能的,但集成電路可以有效地設置從而節能的效果。
為了對抗靜,保護二極管是一門內置式。
SOT-23包裝使高密度安裝成為可能。
個人筆記本電腦
細胞和便攜式電話
車載電源
鋰電池系統
＊ 超高速開關
＊ 門內置保護二極管
＊ 驅動電壓:-4.5 V
＊ DMOS結構
＊ 小包裝:SOT-23
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