數據列表 :XP162A11C0PR
標準包裝 :1,000
類別 :分離式半導體產品
家庭 :FET - 單
系列 :-
FET 型 :MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點 :邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss) :30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C :2.5A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :150 毫歐 @ 1.5A, 10V
Id 時的 Vgs(th)（最大） :-
閘電荷(Qg) @ Vgs :-
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :280pF @ 10V
功率 - 最大 :2W
安裝類型 :表面貼裝
封裝/外殼 :TO-243AA
供應商設備封裝 :SOT-89
包裝 :帶卷 (TR)
PDF技術功能：
XP162A11C0PR.PDF
低導通狀態抵抗:0.28Ω(最高)
超高速開關
門保護二極管內置式
SOT - 89包
個人筆記本電腦
細胞和便攜式電話
板電力供應
離子電池系統
這是一個P-Channel XP162A11COPR低功率MOS FET辦不到導通狀態電阻和超高速開關特性。
因為高速開關是可行的,可以有效地集成電路集從而節能的效果。
為了對抗靜,保護二極管是一門內置式。
SOT - 89包使高密度安裝成為可能。
低導通狀態抵抗:關系型數據庫(在)= 0.15Ω(Vgs = -10 V)
關系型數據庫(在)= 0.28Ω(Vgs = -4.5 V)
超高速開關
操作電壓:-4.5 V
門內置保護二極管
高密度安裝:SOT - 89
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