DS1230Y-100 DS1230AB, DS1230Y 专业供应256k非易失SRAM

描述：

DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V_CC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態、寫保護將無條件使能、防止數據被破壞。DIP封裝的DS1230器件可以用來替代現有的32k x 8靜態RAM，符合通用的單字節寬、28引腳DIP標準。DIP器件還與28256 EEPROM的引腳匹配，可直接替換并增強其性能。小尺寸模塊封裝的DS1230器件專為表面貼裝應用設計。該器件沒有寫次數限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

本產品包含金屬鋰電池。參見含電池設備的運輸要求使用標準。

特征：

在沒有外部電源的情況下最少可以保存數據10年

掉電期間數據被自動保護

替代32k x 8易失靜態RAM、EEPROM或閃存

沒有寫次數限制

低功耗CMOS操作

70ns的讀寫存取時間

第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態

±10% V_CC工作范圍(DS1230Y)

可選擇±5% V_CC工作范圍(DS1230AB)

可選的-40°C至+85°C工業級溫度范圍，指定為IND

JEDEC標準的28引腳DIP封裝

PowerCap模塊(PCM)封裝

表面貼裝模塊
可更換的即時安裝PowerCap提供備份鋰電池
所有非易失SRAM器件提供標準引腳
分離的PowerCap用常規的螺絲起子便可方便拆卸

通過美國保險商實驗室協會(UL®)認證

相關型號：

DS1230AB-70	DS1230ABP-100+	DS1230YP-70IND+
DS1230AB-70+	DS1230AB-120	DS1230Y-85
DS1230ABP-70	DS1230AB-120+	DS1230Y-85+
DS1230ABP-70+	DS1230AB-120IND	DS1230Y-100
DS1230AB-70IND	DS1230AB-120IND+	DS1230Y-100+
DS1230AB-70IND+	DS1230AB-150	DS1230YP-100
DS1230ABP-70IND	DS1230AB-150+	DS1230YP-100+
DS1230ABP-70IND+	DS1230AB-200	DS1230Y-120
DS1230AB-85	DS1230AB-200+	DS1230Y-120+
DS1230AB-85+	DS1230AB-200IND	DS1230Y-120IND
DS1230AB-100	DS1230AB-200IND+	DS1230Y-120IND+
DS1230AB-100+	DS1230Y-70	DS1230Y-150
DS1230ABP-100	DS1230Y-70+	DS1230Y-150+
DS1230Y-70IND+	DS1230YP-70	DS1230Y-200
DS1230YP-70IND	DS1230YP-70+	DS1230Y-200+
DS1230Y-200IND+	DS1230Y-70IND	DS1230Y-200IND

DS1230Y-100圖片：

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DS1230Y-100
DS1230Y-100

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DS1230Y-100 DS1230AB, DS1230Y 專業供應256k非易失SRAM